L'Université d'État de l'Ohio acquiert le système AIXTRON MOCVD pour faire progresser la recherche sur les semi-conducteurs

L'Université d'État de l'Ohio a investi dans un système MOCVD Close Coupled Showerhead® d'AIXTRON SE. Ce système facilitera la croissance épitaxiale avancée d'oxyde de gallium et d'oxyde d'aluminium-gallium sur des substrats de 100 mm. Ces matériaux sont essentiels au développement de dispositifs à large et ultra-large bande interdite fonctionnant efficacement à haute tension, fréquence et température.

Le professeur Steven A. Ringel de l'OSU s'est dit satisfait des réacteurs d'AIXTRON et a souligné l'évolutivité de la plateforme, un atout essentiel pour leur collaboration. Le Dr Felix Grawert, PDG d'AIXTRON SE, a insisté sur le potentiel de ce partenariat pour faire progresser la technologie de l'oxyde de gallium, marquant ainsi une avancée significative dans le domaine des semi-conducteurs.

Le réacteur MOCVD sera installé au Nanotech West Lab, renforçant ainsi l'infrastructure de recherche de l'Ohio State University, gérée par l'Institute for Materials and Manufacturing Research.