DB HiTek fait progresser la technologie SiC avec un procédé MOSFET de 8 pouces

DB HiTek, fonderie sud-coréenne de premier plan, a franchi une étape importante en validant la fiabilité de son procédé de fabrication de MOSFET SiC 1 200 V sur plaquettes de 8 pouces. Cette avancée positionne l'entreprise comme pionnière sur le marché de la fonderie SiC 8 pouces. La production en série devrait démarrer en 2027, avec pour objectif de renforcer sa présence sur le marché et d'améliorer le support client.

Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur très performant, notamment à haute température, et convient parfaitement aux véhicules électriques et aux équipements de puissance. L'industrie évolue des plaquettes de 6 pouces vers celles de 8 pouces, une transition à laquelle DB HiTek répond en perfectionnant sa technologie de fabrication de plaquettes SiC de 8 pouces. Cette évolution promet une efficacité accrue et une réduction des coûts.

L'entreprise propose à ses clients des kits de conception de procédés pour les procédés SiC de première et deuxième génération. Un kit de troisième génération sera bientôt disponible, visant à accélérer le développement des produits de plus d'un an. La deuxième génération garantit une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil élevée.