STMicroelectronics dévoile une nouvelle technologie en carbure de silicium pour les onduleurs de traction des véhicules électriques

STMicroelectronics (NYSE : STM) a annoncé la sortie de sa technologie MOSFET en carbure de silicium (SiC) STPOWER de quatrième génération, conçue pour établir de nouvelles normes en matière d'efficacité énergétique, de densité et de robustesse. Cette innovation cible les marchés de l'automobile et de l'industrie, en particulier l'optimisation des onduleurs de traction, essentiels aux groupes motopropulseurs des véhicules électriques (VE). La nouvelle technologie SiC promet de proposer des produits plus petits et plus efficaces d'ici 2025, notamment dans les classes 750 V et 1 200 V, étendant ainsi les avantages du SiC des modèles haut de gamme aux véhicules électriques de taille moyenne et compacte.

STMicroelectronics prévoit de poursuivre ses avancées dans la technologie SiC, avec des innovations attendues d'ici 2027. L'entreprise souligne son engagement en faveur de la mobilité électrique et de l'efficacité industrielle. Marco Cassis, président du groupe Analog, Power & Discrete, MEMS and Sensors de ST, a souligné l'accent mis par l'entreprise sur les stratégies de fabrication intégrées et sur la fourniture de performances de pointe en matière de technologie SiC.

Les nouveaux composants MOSFET SiC de 4e génération de ST amélioreront l'efficacité énergétique et les performances des onduleurs de traction de bus de véhicules électriques de 400 V et 800 V, ce qui pourrait accélérer l'adoption des véhicules électriques en permettant des options automobiles plus abordables. Ces composants sont également adaptés aux applications industrielles de forte puissance telles que les onduleurs solaires et les solutions de stockage d'énergie, améliorant ainsi l'efficacité énergétique dans divers secteurs.